基板または中間層は BGA パッケージの非常に重要な部分であり、相互接続配線に加えて、インピーダンス制御やインダクタ/抵抗/コンデンサの統合にも使用できます。したがって、基板材料には高いガラス転移温度 rS (約 175 ～ 230℃)、高い寸法安定性と低い吸湿性、良好な電気的性能と高い信頼性が要求されます。金属フィルム、絶縁層、および基板媒体も、それらの間の高い接着特性を備えていなければなりません。
1. リードボンディングPBGAのパッケージングプロセス
① PBGA基板の準備
BTレジン/ガラスコア基板の両面に極薄（厚さ12～18μm）の銅箔をラミネートし、ドリル穴を開けてスルーホールメタライゼーションを行います。従来の PCB plus 3232 プロセスを使用して、ガイド ストリップ、電極、はんだボールを取り付けるためのはんだ領域アレイなどのグラフィックスを基板の両面に作成します。次に、はんだマスクが追加され、電極とはんだ領域を露出させるグラフィックスが作成されます。生産効率を向上させるために、通常、基板には複数の PBG 基板が含まれています。
②包装工程の流れ
ウェーハ薄化→ウェーハ切断→チップボンディング→プラズマ洗浄→リードボンディング→プラズマ洗浄→モールドパッケージ→はんだボール組立→リフロー炉はんだ付け→表面マーキング→分離→最終検査→テストホッパー包装
チップボンディングでは、銀入りエポキシ接着剤を使用して IC チップを基板に接着し、次に金ワイヤボンディングを使用してチップと基板間の接続を実現し、その後、チップやはんだラインを保護するために成形プラスチックカプセル化または液体接着剤のポッティングが行われます。そしてパッド。特別に設計されたピックアップ ツールを使用して、融点 183°C、直径 30 ミル (0.75 mm) のはんだボール 62/36/2Sn/Pb/Ag または 63/37/Sn/Pb を配置します。リフローはんだ付けは、最大処理温度が 230°C 以下の従来のリフローオーブンで実行されます。次に、基板は CFC 無機洗浄剤で遠心洗浄され、パッケージ上に残ったはんだや繊維の粒子が除去され、マーキング、分離、最終検査、テストが行われ、保管用に梱包されます。以上がリードボンディングタイプPBGAのパッケージング工程です。
2. FC-CBGAのパッケージング工程
①セラミック基板
FC-CBGAの基板は製造が非常に難しい多層セラミック基板です。基板の配線密度が高く、配線間隔が狭く、多数のスルーホールがあり、基板のコプラナリティに対する要求も高いためです。その主な工程は、まず多層セラミックシートを高温で同時焼成して多層セラミックメタライズ基板を形成し、その基板上に多層金属配線を形成し、メッキ等を施すというものである。 、基板とチップおよびPCBボードの間のCTEの不一致は、CBGA製品の故障を引き起こす主な要因です。この状況を改善するには、CCGA 構造に加えて、別のセラミック基板である HITCE セラミック基板を使用できます。
②包装工程の流れ
ディスクバンプの準備 → ディスクの切断 → チップフリップフロップとリフローはんだ付け → サーマルグリスの底部充填、封止はんだの塗布 → キャッピング → はんだボールの組み立て → リフローはんだ付け → マーキング → 分離 →最終検査→検査→梱包
3. リードボンディングTBGAのパッケージング工程
①TBGAキャリアテープ
TBGAのキャリアテープは通常ポリイミド素材で作られています。
製造では、キャリアテープの両面に最初に銅メッキが施され、次にニッケルと金メッキが施され、続いてスルーホールのパンチングとスルーホールのメタライゼーション、およびグラフィックスの生産が行われます。このリードボンディングTBGAでは、封止されたヒートシンクも封止されたプラスソリッドおよびチューブシェルのコアキャビティ基板であるため、封止前にキャリアテープが感圧接着剤を使用してヒートシンクに接着されます。
②カプセル化処理の流れ
チップ薄化→チップ切断→チップボンディング→洗浄→リードボンディング→プラズマ洗浄→液体封止剤ポッティング→はんだボール組立→リフローはんだ付け→表面マーキング→分離→最終検査→検査→梱包
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投稿日時: 2023 年 2 月 9 日